第438章 光刻机项目:另辟蹊径(1 / 4)

沐阳研究更新后的阅读系统两个多小时才研究透,兴奋得睡不着。

喝了一杯茶,他想看看芯片制造技术的核心设备:光刻机。

目前市场上,有两种主流光刻机,一个是DUV光刻机,另一个是EUV光刻机。DUV是深紫外线(DeepUltravioletLithogrhy),EUV是极深紫外线(ExtreUltravioletLithogrhy。

从制程范围来看,DUV基本上只能做到25nIntel凭借双工作台的模式做到了10n但是却无法达到10n下。

只有EUV能满足10n下的晶圆制造,并且还可以向5n3n续延伸。

这个线宽其实就是跟光的线宽有关系,比如可见光的G线,那就是436n如果用来刻蚀,线路肯定很宽。

可以简单地认为,光刻机的光系统其实就是一支画笔,不同的光代表不同粗细大小的笔芯,越细的笔(光)能够画越细越复杂的画。

DUV就是彩笔,EUV就是中性笔,中性笔画的线条比较细,比较好用。

这么理解,也好理解光刻机到底如何刻蚀电路图了。

当前,国外品牌光刻机主要以荷蓝ASML,岛国Nikon和Canon三大品牌为主。

EUV的价格是1—3亿美金/台,DUV的价格为2000万—5000万美金/台不等。

目前先进的光刻系统就是EUV光刻机,如果沐阳打算走EUV光刻机路线,必然绕不开别人的技术专利保护范围。

因此,他只能寻找另外光种的光刻机,同时要考虑到光的分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等指标。

就说分辨率,如果制作出来的电路图模糊不清,那芯片肯定不好。

光刻机其它的指标,也可以比喻成画笔的性能就行了。

并不是说,沐阳不能搞光刻机了,只是说,再搞DUV和EUV光刻机,绕不开以上三家企业的技术专利保护范围。

所以,他只能另辟蹊径。

很久之前,沐阳就想到过电子束光刻机。

原本,再过几年,漂亮国的一个实验室研发出一套名为ZyvexLitho1的光刻系统,基于STM扫描隧道显微镜,使用的是EBL(EBeaithogrhy)电子束光刻方式,制造出了0.7n宽的芯片,只是没法实现批量生产,或者成本高过。

沐阳相信,如果是技术成熟的电子束光刻机,线宽比0.7n小。

他在系统商店普通货架上默念搜索「电子束光刻机」,很快,搜索出几款相关技术。

沐阳选择适合自己公司的一款技术:EBL01

技术参数:

1.最小线宽:小于1nbr/>

2.加速电压:5—500kV

3.电子束直径:小于0.5nbr/>

4.套刻精度:1nan+0.20)

5.拼接精度:1nan+0.20)

6.加工晶圆尺寸:4—18英寸

7.描电镜分辨率:小于0.2nbr/>

主要特点:

1.采用超高亮度和超高稳定性的TFE电子枪;

2.出色的电子束偏转控制技术;

3.采用场尺寸调制技术,电子束定位分辨率可达0.0002n

4.采用轴对称图形书写技术,图形偏角分辨率可达0.002ad;

5.应用领域广泛,如

微纳器件加工,研究用掩膜制造,纳米加工(例如单电子器件、量子器件制作等),高频电子器件中