俄歇电子能谱确定表面的氧化物完全被移除后，将样品加热使之度升高至12501450℃后保持二十分钟，从而形成极薄的石墨层，最后通过微机械剥离法得到石墨烯层。

这样制得的石墨烯层品质很高，而且没有晶界的存在，可以用制造碳基芯片。

可这种方式无法量产不说，高纯度的六方碳化硅单晶也主要依赖进口。

这在很大程度上限制了碳基芯片的发展。

华国的专家一直都在想办法解决这个问题，但截止到目前都没有太大的进展。

他们从没有想过，碳化硅还可以这样用，而且真相距离他们可以说仅有一步之遥。

想明白这些话，蹲守在屏幕前的专家望着直播间的那道人影叹了口气。

从这件事上，他们再次看到自己和对方的差距，看到了科技上，以及两边对于某些材料性质认知上的差距。

有时候他们距离终点可能就只有一步之遥，但往往这一步上堵塞着大量的杂物。

他们在搬离这些杂物的过程中浪费了大量的时间，而对方却直接‘一把火’将这些杂物垃圾直接烧掉了。

这个比喻虽然有些不恰当，但可以说很是形象了。